A projekt célja fémoxid rétegek vizsgálata kísérleti és számítógépes modellszámolások segítségével. A fémoxid rétegek napjainkban számos területen játszanak fontos szerepet. Egyik ilyen terület a mikro-/nanoelektronikai, ahol néhány nm vastagságú oxidrétegek az eszközökben nagyon fontos és kettős szerepet töltenek be. Egyrészt szigetelőként, másrészt diffúziós gátként használatosak. Vizsgálataink során az oxid rétegek diffúziót gátló tulajdonságait kívánjuk megvizsgálni a pl. AI203, ZnO és TiO2 rétegekben, melyeket atomi réteg leválasztás (ALD) segítségével kívánunk előállítani. A diffúziós rövidzárak (pl. szemcsehatárok) jelentősen befolyásolják a gát hatékonyságát, így a szemcsehatárokat számítógépes modellszámolásokkal is modellezni kívánjuk.
(Külföldi pályázó szervezet neve: Roueni Egyetem, Anyagfizikai intézet; projektvezető: Prof. Helena Zapolsky)